1微米誤差=100萬損失？這個(gè)黑科技專治精密測(cè)量“強(qiáng)迫癥”

更新時(shí)間：2025-09-18

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在微納加工領(lǐng)域，1μm及以下線寬電極的制備一直是科研工作者面臨的重大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)光刻技術(shù)受限于勻膠工藝、光學(xué)衍射極限等因素，難以實(shí)現(xiàn)高精度圖形化。今天，我們將揭秘如何利用澤攸科技DMD無掩膜光刻機(jī)突破這一技術(shù)瓶頸！

三大關(guān)鍵技術(shù)突破

1.精密勻膠控制

•采用AR-P-5350光刻膠，嚴(yán)格控制膠層厚度在1μm

•"低速-高速"兩步旋涂法，確保膠膜均勻性

•精確控制前烘溫度和時(shí)間，提升膠膜附著力

2.智能曝光系統(tǒng)

•通過QCAD/Klayout軟件實(shí)現(xiàn)圖形原位設(shè)計(jì)

•智能劑量優(yōu)化算法自動(dòng)匹配最佳曝光參數(shù)

•高精度對(duì)位系統(tǒng)確保圖形轉(zhuǎn)移精度

3.創(chuàng)新顯影工藝

•專用顯影液配方實(shí)現(xiàn)高分辨率圖形顯影

•去離子水定影技術(shù)減少圖形缺陷

•準(zhǔn)剝離工藝保證電極完整性

澤攸科技DMD無掩膜光刻機(jī)核心優(yōu)勢(shì)

•采用高分辨率投影物鏡，突破光學(xué)衍射極限

•數(shù)字微鏡器件(DMD)實(shí)現(xiàn)快速圖形切換

•智能曝光控制系統(tǒng)確保工藝穩(wěn)定性

•支持1μm及以下線寬圖形制備

•操作簡便，大幅提升科研效率

應(yīng)用案例

該技術(shù)已成功應(yīng)用于：

•二維材料器件電極制備

•納米電子器件研發(fā)

•微納傳感器制造

•量子器件研究

技術(shù)展望

隨著微納加工技術(shù)的不斷發(fā)展，澤攸科技將持續(xù)優(yōu)化無掩膜光刻技術(shù)，為科研工作者提供更高效、更精準(zhǔn)的微納加工解決方案。

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1微米誤差=100萬損失？這個(gè)黑科技專治精密測(cè)量“強(qiáng)迫癥”