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產(chǎn)品中心三維光學輪廓儀SensofarS neoxSensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測利器
產(chǎn)品簡介
Sensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測利器Sensofar S neox Five Axis在標準S neox基礎(chǔ)上升級五軸運動控制系統(tǒng)，支持樣品臺傾斜與旋轉(zhuǎn)，可測量復雜曲面與側(cè)壁結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品分類
產(chǎn)品細節(jié)
針對半導體行業(yè)需求，Sensofar S neox提供亞納米級縱向分辨率與微米級橫向分辨率，支持晶圓表面平整度、薄膜厚度及微納結(jié)構(gòu)形貌測量。設備配備真空吸附載物臺，可固定12英寸晶圓，避免測量過程中樣品移動。Sensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測利器
產(chǎn)品性能
晶圓檢測：白光干涉模式可檢測納米級臺階高度，適用于光刻膠涂層厚度均勻性分析。
缺陷識別：AI多焦面疊加技術(shù)自動過濾噪聲，識別微米級表面缺陷。
自動化流程：支持SECS/GEM協(xié)議，可與半導體產(chǎn)線MES系統(tǒng)無縫對接。
用材與參數(shù)表
| 參數(shù)項 | 規(guī)格 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | 最大12英寸 |
| 臺階高度測量范圍 | 1.5μm-10mm |
| 薄膜測量精度 | ±0.5nm |
| 通信協(xié)議 | SECS/GEM、RS-232 |
型號與用途
型號：S neox（半導體專用配置）
應用領(lǐng)域：晶圓表面平整度檢測、3D NAND閃存堆疊結(jié)構(gòu)形貌分析、芯片封裝貼合度驗證。
使用說明
晶圓裝載：將晶圓放置于真空吸附臺，啟動抽真空功能固定樣品。
區(qū)域選擇：在軟件中劃定測量區(qū)域，支持全晶圓掃描或局部抽檢。
厚度分析：利用干涉模式測量薄膜厚度，生成厚度分布熱力圖。
數(shù)據(jù)反饋：將測量結(jié)果上傳至MES系統(tǒng)，觸發(fā)產(chǎn)線分選或返修流程。
Sensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測利器
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