澤攸電鏡ZEM20Ultro：臺(tái)式電鏡觀測(cè)新體驗(yàn)
在材料表征、生命科學(xué)、電子制造等領(lǐng)域，對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的高分辨率觀測(cè)是推動(dòng)研究與生產(chǎn)的核心需求。ZEM20Ultro 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（以下簡(jiǎn)稱 ZEM20Ultro），以緊湊的臺(tái)式設(shè)計(jì)、穩(wěn)定的場(chǎng)發(fā)射性能與多元的分析功能，為各行業(yè)提供了便捷且可靠的微觀觀測(cè)解決方案，打破傳統(tǒng)大型電鏡對(duì)空間與操作環(huán)境的嚴(yán)苛限制。
一、產(chǎn)品細(xì)節(jié)與用材
ZEM20Ultro 采用一體化臺(tái)式結(jié)構(gòu)，整體尺寸約為 850mm×650mm×1000mm（長(zhǎng) × 寬 × 高），重量控制在 120kg 以內(nèi)，無(wú)需單獨(dú)建造專業(yè)實(shí)驗(yàn)室，普通通風(fēng)櫥或潔凈工作臺(tái)即可滿足安置需求，大幅降低了使用門(mén)檻。機(jī)身外殼選用冷軋鋼板與 ABS 工程塑料拼接，冷軋鋼板表面經(jīng)過(guò)靜電噴塑處理，具備良好的抗腐蝕與抗刮擦性能；ABS 塑料部件則采用模具一體成型，減少接縫處的粉塵堆積，便于日常清潔維護(hù)。
核心部件的用材與設(shè)計(jì)直接決定觀測(cè)精度。其場(chǎng)發(fā)射電子槍采用鎢單晶針尖，針尖曲率半徑小于 10nm，能穩(wěn)定發(fā)射高亮度電子束，且使用壽命可達(dá) 2000 小時(shí)以上，減少頻繁更換的維護(hù)成本。電子光學(xué)系統(tǒng)搭載多層膜電磁透鏡，透鏡材質(zhì)為高純度軟磁合金，經(jīng)過(guò)精密退火處理，可有效降低磁場(chǎng)干擾，確保電子束聚焦精度。樣品室采用不銹鋼材質(zhì)，內(nèi)壁經(jīng)過(guò)電解拋光處理，表面粗糙度 Ra≤0.2μm，既能減少電子散射干擾，又能耐受酒精、丙酮等常用清潔劑的擦拭，保持樣品室潔凈。
操作界面設(shè)計(jì)注重實(shí)用性，配備 15.6 英寸高清觸控屏，支持多點(diǎn)觸控與手勢(shì)縮放，常用功能（如放大、聚焦、圖像保存）可通過(guò)快捷鍵一鍵調(diào)用。設(shè)備側(cè)面預(yù)留 USB3.0、HDMI 等接口，方便連接外部存儲(chǔ)設(shè)備與顯示終端，數(shù)據(jù)導(dǎo)出與結(jié)果展示更為靈活。此外，樣品臺(tái)采用電動(dòng)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，支持 X/Y/Z 三軸移動(dòng)，最大行程分別為 50mm×50mm×20mm，移動(dòng)精度可達(dá) 1μm，適配不同尺寸樣品的觀測(cè)需求。
二、產(chǎn)品性能表現(xiàn)
分辨率與放大倍數(shù)：ZEM20Ultro 在二次電子成像模式下，分辨率可達(dá) 1.5nm（加速電壓 30kV 時(shí)），10nm（加速電壓 1kV 時(shí)），能清晰呈現(xiàn)納米級(jí)別的微觀結(jié)構(gòu)，如金屬納米顆粒的形貌、半導(dǎo)體芯片的電路細(xì)節(jié)。放大倍數(shù)范圍覆蓋 20×-1,000,000×，從宏觀樣品全貌觀測(cè)到微觀細(xì)節(jié)分析均可無(wú)縫切換，無(wú)需更換物鏡或調(diào)整光路。
電子束穩(wěn)定性：設(shè)備搭載數(shù)字式電子束控制模塊，加速電壓調(diào)節(jié)范圍為 0.1kV-30kV，電流調(diào)節(jié)范圍為 1pA-100nA，輸出穩(wěn)定性≤0.5%/h。即使在長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)觀測(cè)（如 8 小時(shí)以上）中，電子束的強(qiáng)度與聚焦位置變化極小，確保獲取的圖像序列一致性良好，適合動(dòng)態(tài)過(guò)程觀測(cè)（如材料高溫下的結(jié)構(gòu)變化）。
樣品兼容性：支持導(dǎo)電與非導(dǎo)電樣品觀測(cè)，非導(dǎo)電樣品無(wú)需復(fù)雜鍍膜處理，通過(guò)設(shè)備內(nèi)置的低真空模式（真空度范圍 1Pa-100Pa），可直接觀測(cè)塑料、陶瓷、生物組織等絕緣樣品，避免鍍膜過(guò)程對(duì)樣品表面結(jié)構(gòu)的破壞。樣品臺(tái)最大承載重量為 50g，可適配直徑≤30mm、厚度≤10mm 的樣品，滿足多數(shù)實(shí)驗(yàn)室與生產(chǎn)車(chē)間的樣品規(guī)格需求。
三、用途與使用說(shuō)明
（一）主要用途
材料科學(xué)領(lǐng)域：觀測(cè)金屬材料的顯微組織、晶粒大小與分布，分析復(fù)合材料的界面結(jié)合狀態(tài)，研究納米材料的形貌與尺寸分布，為材料性能優(yōu)化與新型材料研發(fā)提供微觀數(shù)據(jù)支撐。
生命科學(xué)領(lǐng)域：在低真空模式下觀測(cè)生物組織切片、細(xì)胞涂片的表面形貌，無(wú)需脫水或鍍膜處理，保持樣品自然狀態(tài)；分析醫(yī)用材料（如人工gu、支架）的表面孔隙結(jié)構(gòu)，評(píng)估其生物相容性。
電子制造領(lǐng)域：檢測(cè)半導(dǎo)體芯片的焊接缺陷（如虛焊、焊球氧化）、PCB 板的線路腐蝕與斷線，觀測(cè)微型電子元件（如 MEMS 傳感器）的結(jié)構(gòu)完整性，助力電子產(chǎn)品質(zhì)量控制。
（二）使用說(shuō)明（以 “非導(dǎo)電陶瓷樣品表面觀測(cè)" 為例）
樣品準(zhǔn)備：將陶瓷樣品切割為直徑≤20mm、厚度≤5mm 的小塊，用無(wú)塵布蘸取酒精清潔表面，去除粉塵與油污；若樣品表面存在尖銳邊緣，用砂紙輕微打磨，避免損壞樣品臺(tái)或影響觀測(cè)角度。
設(shè)備啟動(dòng)與真空準(zhǔn)備：打開(kāi) ZEM20Ultro 主機(jī)電源，啟動(dòng)配套操作軟件，選擇 “低真空模式"，設(shè)置真空度為 10Pa（根據(jù)樣品絕緣程度調(diào)整）；點(diǎn)擊 “抽真空" 按鈕，設(shè)備自動(dòng)完成預(yù)抽與主抽真空流程，待真空度達(dá)到設(shè)定值后（軟件提示 “真空就緒"），進(jìn)入下一步操作。
樣品裝載與定位：打開(kāi)樣品室門(mén)，將樣品放置在樣品臺(tái)中心，通過(guò)樣品臺(tái)微調(diào)旋鈕固定樣品；關(guān)閉樣品室門(mén)，在軟件界面控制 X/Y 軸移動(dòng)，將觀測(cè)區(qū)域調(diào)整至視野中心，調(diào)節(jié) Z 軸高度，使樣品表面與電子束聚焦平面重合。
成像參數(shù)設(shè)置：選擇 “二次電子成像" 模式，設(shè)置加速電壓為 10kV（兼顧分辨率與樣品損傷），電子束電流為 10pA，掃描速度為 “標(biāo)準(zhǔn)模式"（幀頻 5fps）；點(diǎn)擊 “自動(dòng)聚焦" 與 “自動(dòng)亮度 / 對(duì)比度"，軟件自動(dòng)優(yōu)化成像參數(shù)，獲取清晰的樣品表面圖像。
圖像采集與保存：調(diào)整放大倍數(shù)（如先以 1000× 觀測(cè)整體形貌，再以 50000× 觀測(cè)細(xì)節(jié)），通過(guò)觸控屏或鼠標(biāo)拖動(dòng)選擇感興趣區(qū)域；點(diǎn)擊 “圖像保存"，選擇保存格式（BMP、TIFF 或 JPEG），設(shè)置文件名稱與存儲(chǔ)路徑，完成圖像采集；若需進(jìn)行多區(qū)域觀測(cè)，重復(fù)步驟 4-5，或設(shè)置 “自動(dòng)掃描序列" 實(shí)現(xiàn)批量采集。
設(shè)備關(guān)閉：觀測(cè)完成后，將放大倍數(shù)調(diào)至（20×），點(diǎn)擊 “放氣" 按鈕，待樣品室恢復(fù)大氣壓后，打開(kāi)樣品室門(mén)取出樣品；關(guān)閉操作軟件，依次關(guān)閉主機(jī)電源與真空系統(tǒng)電源，清潔樣品臺(tái)與設(shè)備表面，完成本次操作。
四、ZEM20Ultro 參數(shù)表
ZEM20Ultro 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡，以緊湊的設(shè)計(jì)突破空間限制，以穩(wěn)定的性能保障觀測(cè)精度，以多元的功能適配不同領(lǐng)域需求。無(wú)論是實(shí)驗(yàn)室的科研探索，還是生產(chǎn)車(chē)間的質(zhì)量檢測(cè)，它都能提供便捷、高效的微觀觀測(cè)支持，幫助用戶更深入地探索微觀世界的奧秘。
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