澤攸電鏡ZEM20Ultro：材料科研微觀觀測(cè)工具

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澤攸電鏡ZEM20Ultro：材料科研微觀觀測(cè)工具
在材料科學(xué)研究領(lǐng)域，從金屬材料的相變機(jī)制、復(fù)合材料的界面結(jié)合，到納米材料的形貌調(diào)控，都需要深入微觀層面獲取結(jié)構(gòu)信息

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更新時(shí)間：2025-10-23

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臺(tái)式電鏡&臺(tái)階儀&原位分析

澤攸澤攸臺(tái)式掃描電鏡澤攸臺(tái)階儀澤攸探針臺(tái)及低溫系統(tǒng) 澤攸TEM原位方案(樣品桿) 澤攸SEM原位解決方案

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澤攸電鏡ZEM20Ultro：材料科研微觀觀測(cè)工具

在材料科學(xué)研究領(lǐng)域，從金屬材料的相變機(jī)制、復(fù)合材料的界面結(jié)合，到納米材料的形貌調(diào)控，都需要深入微觀層面獲取結(jié)構(gòu)信息。ZEM20Ultro 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（以下簡(jiǎn)稱 ZEM20Ultro）憑借高分辨率成像能力、多元的觀測(cè)模式與靈活的樣品適配性，為材料科研提供了可靠的微觀觀測(cè)支持，幫助科研人員建立材料微觀結(jié)構(gòu)與宏觀性能的關(guān)聯(lián)，加速新材料研發(fā)與現(xiàn)有材料性能優(yōu)化進(jìn)程。

一、適配材料科研的產(chǎn)品細(xì)節(jié)

ZEM20Ultro 的臺(tái)式設(shè)計(jì)兼顧實(shí)驗(yàn)室空間利用率與操作便捷性，850mm×650mm×1000mm 的尺寸可輕松融入高校實(shí)驗(yàn)室或企業(yè)研發(fā)中心，無需單獨(dú)建造大型電鏡實(shí)驗(yàn)室，降低科研設(shè)備安置門檻。機(jī)身外殼采用冷軋鋼板與 ABS 工程塑料拼接，冷軋鋼板具備良好的抗振動(dòng)性能，可減少實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中離心機(jī)、超聲清洗儀等設(shè)備運(yùn)行時(shí)的振動(dòng)對(duì)成像的干擾；ABS 塑料部件表面經(jīng)過防靜電處理，能避免粉塵吸附，保持設(shè)備清潔，適配材料樣品（如粉末、薄膜）的潔凈觀測(cè)需求。

針對(duì)材料樣品的多樣性，ZEM20Ultro 的樣品臺(tái)設(shè)計(jì)具備高度靈活性。樣品臺(tái)支持 X/Y/Z 三軸電動(dòng)移動(dòng)，行程 50mm×50mm×20mm，移動(dòng)精度達(dá) 1μm，可精準(zhǔn)定位塊狀、粉末狀、薄膜狀等不同形態(tài)樣品的觀測(cè)區(qū)域。樣品臺(tái)配備可更換的樣品托，包括導(dǎo)電金屬托（適配金屬、合金樣品）、絕緣陶瓷托（適配陶瓷、高分子材料），無需頻繁調(diào)整設(shè)備參數(shù)即可切換不同類型樣品檢測(cè)，減少科研操作中的時(shí)間成本。此外，樣品臺(tái)最大承載重量 50g，可適配直徑≤30mm、厚度≤10mm 的樣品，滿足多數(shù)材料科研的樣品規(guī)格需求。

核心光學(xué)部件的用材為高分辨率觀測(cè)提供保障。場(chǎng)發(fā)射電子槍采用鎢單晶針尖，曲率半徑小于 10nm，能穩(wěn)定發(fā)射高亮度電子束，可清晰呈現(xiàn)材料表面納米級(jí)的微觀結(jié)構(gòu)；多層膜電磁透鏡由高純度軟磁合金制成，經(jīng)過精密退火與校準(zhǔn)，能有效聚焦電子束，在高放大倍數(shù)下（如 100000×）仍保持成像清晰度，便于觀察材料的晶粒邊界、缺陷分布等細(xì)節(jié)。設(shè)備還可選配背散射電子探測(cè)器（BSE），通過檢測(cè)背散射電子信號(hào)，分析材料的元素分布差異，為成分 - 結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)研究提供數(shù)據(jù)支持。

二、支撐材料科研的產(chǎn)品性能

高分辨率微觀結(jié)構(gòu)觀測(cè)：材料的微觀結(jié)構(gòu)（如晶粒尺寸、孔隙分布、相區(qū)形態(tài)）直接影響其力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)性能。ZEM20Ultro 在二次電子成像模式下，30kV 加速電壓時(shí)分辨率可達(dá) 1.5nm，1kV 低加速電壓時(shí)分辨率 10nm，能清晰捕捉金屬材料的位錯(cuò)、復(fù)合材料的增強(qiáng)相分散狀態(tài)、納米材料的粒徑與形貌。例如研究鋁合金時(shí)效強(qiáng)化過程時(shí)，可通過高分辨率成像觀察時(shí)效析出相的尺寸變化與分布規(guī)律，分析析出相對(duì)鋁合金強(qiáng)度的影響。

低真空模式適配敏感材料：部分材料（如高分子聚合物、生物基復(fù)合材料）在高真空環(huán)境下易發(fā)生結(jié)構(gòu)變形，或在電子束照射下易產(chǎn)生電荷積累。ZEM20Ultro 的低真空模式（真空度 1Pa-100Pa）可避免上述問題，無需對(duì)樣品進(jìn)行鍍膜或脫水處理，直接觀測(cè)材料自然狀態(tài)下的微觀結(jié)構(gòu)。例如研究可降解高分子材料的降解過程時(shí)，可通過低真空模式連續(xù)觀測(cè)材料表面孔隙的變化，無需擔(dān)心真空環(huán)境對(duì)降解狀態(tài)的干擾。

穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)過程記錄：材料科研常需記錄微觀結(jié)構(gòu)隨外部條件（如溫度、應(yīng)力）的動(dòng)態(tài)變化，ZEM20Ultro 的電子束穩(wěn)定性≤0.5%/h，長(zhǎng)時(shí)間觀測(cè)（如 12 小時(shí)）中成像參數(shù)波動(dòng)小，可搭配高溫樣品臺(tái)（可選配，溫度范圍室溫 - 800℃）或拉伸樣品臺(tái)（可選配，最大拉力 500N），記錄材料在高溫或應(yīng)力作用下的微觀結(jié)構(gòu)演化。例如研究金屬材料的高溫氧化過程時(shí)，可實(shí)時(shí)觀察氧化層的生長(zhǎng)速率與結(jié)構(gòu)變化，為氧化機(jī)制研究提供動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)。

三、材料科研中的具體用途與使用說明

（一）主要用途

金屬與合金材料研究：觀察金屬的晶粒尺寸、晶界形態(tài)與位錯(cuò)分布，分析熱處理工藝對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的影響；研究合金的相分離、析出相演化過程，建立微觀結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能（強(qiáng)度、硬度）的關(guān)聯(lián)；檢測(cè)金屬材料的腐蝕表面形貌，探究腐蝕機(jī)制與防護(hù)方法。

復(fù)合材料研究：分析復(fù)合材料中增強(qiáng)相（如碳纖維、玻璃纖維、納米顆粒）的分散均勻性，觀察增強(qiáng)相與基體的界面結(jié)合狀態(tài)；研究復(fù)合材料的斷裂面形貌，判斷斷裂機(jī)制（如纖維拔出、基體開裂）；評(píng)估復(fù)合材料的磨損表面特征，優(yōu)化耐磨性能。

納米材料研究：觀測(cè)納米顆粒、納米線、納米薄膜的尺寸、形貌與分散狀態(tài)，評(píng)估制備工藝（如溶膠 - 凝膠法、水熱法）對(duì)納米材料結(jié)構(gòu)的影響；分析納米材料的表面缺陷與包覆層結(jié)構(gòu)，研究其光學(xué)、電學(xué)性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系。

（二）使用說明（以 “鋁合金時(shí)效析出相觀測(cè)" 為例）

樣品準(zhǔn)備：將鋁合金樣品切割為 10mm×10mm×2mm 的小塊，依次用 400#、800#、1200#、2000# 砂紙打磨表面，去除切割痕跡；采用電解拋光法對(duì)樣品表面進(jìn)行精處理（電解液為高氯酸 - 乙醇溶液，電壓 15V，時(shí)間 30 秒），獲得光滑無劃痕的觀測(cè)表面；用去離子水清洗樣品，吹干后備用。

設(shè)備啟動(dòng)與真空設(shè)置：打開 ZEM20Ultro 主機(jī)電源，啟動(dòng)操作軟件，選擇 “高真空模式"（鋁合金為導(dǎo)電樣品），點(diǎn)擊 “抽真空"，待真空度達(dá)到≤1×10??Pa（軟件提示 “真空就緒"）后，進(jìn)入下一步操作。

樣品裝載與定位：打開樣品室門，將鋁合金樣品放置在樣品臺(tái)金屬托上，通過樣品臺(tái)微調(diào)旋鈕固定；關(guān)閉樣品室門，在軟件界面控制 X/Y 軸移動(dòng)，將觀測(cè)區(qū)域（如晶粒中心區(qū)域）調(diào)整至視野中心，調(diào)節(jié) Z 軸高度，使樣品表面與電子束聚焦平面重合。

成像參數(shù)設(shè)置：選擇 “二次電子成像" 模式，設(shè)置加速電壓為 20kV（平衡分辨率與電子束損傷），電子束電流為 2pA，掃描速度為 “慢掃模式"（幀頻 1fps，提升圖像清晰度）；點(diǎn)擊 “自動(dòng)聚焦" 與 “自動(dòng)亮度 / 對(duì)比度"，軟件自動(dòng)優(yōu)化成像參數(shù)，清晰呈現(xiàn)鋁合金表面的析出相。

微觀結(jié)構(gòu)分析與數(shù)據(jù)記錄：調(diào)整放大倍數(shù)至 50000×，觀察析出相的尺寸與分布密度，通過軟件內(nèi)置的 “顆粒分析工具" 統(tǒng)計(jì)析出相的平均粒徑與數(shù)量；放大至 100000×，觀察析出相與基體的界面特征；截取不同放大倍數(shù)的圖像保存（格式選擇 TIFF，便于后期分析），記錄觀測(cè)參數(shù)（加速電壓、放大倍數(shù)、掃描速度），用于實(shí)驗(yàn)報(bào)告撰寫。

設(shè)備關(guān)閉與樣品處理：觀測(cè)完成后，將放大倍數(shù)調(diào)至（20×），點(diǎn)擊 “放氣" 按鈕，待樣品室恢復(fù)大氣壓后取出樣品；關(guān)閉操作軟件與設(shè)備電源，用無塵布清潔樣品臺(tái)與電子槍窗口，完成本次實(shí)驗(yàn)。

四、材料科研場(chǎng)景核心參數(shù)摘要

項(xiàng)目	材料科研關(guān)鍵參數(shù)
分辨率	1.5nm（30kV），10nm（1kV）（析出相、納米結(jié)構(gòu)觀測(cè)）
真空模式	高真空≤1×10??Pa（導(dǎo)電材料），低真空 1Pa-100Pa（敏感 / 絕緣材料）
樣品臺(tái)擴(kuò)展性	支持高溫 / 拉伸樣品臺(tái)（可選配），動(dòng)態(tài)過程觀測(cè)
電子束穩(wěn)定性	≤0.5%/h（長(zhǎng)時(shí)間動(dòng)態(tài)觀測(cè)一致性保障）
可選配附件	背散射電子探測(cè)器（BSE，成分分布分析）
數(shù)據(jù)輸出	支持 TIFF/BMP/JPEG 格式，可導(dǎo)出原始數(shù)據(jù)用于 ImageJ 等軟件分析

ZEM20Ultro 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡，以高分辨率、多元觀測(cè)模式與靈活的樣品適配性，成為材料科學(xué)研究的實(shí)用工具。無論是微觀結(jié)構(gòu)靜態(tài)觀測(cè)，還是動(dòng)態(tài)過程記錄，它都能提供精準(zhǔn)、可靠的觀測(cè)數(shù)據(jù)，幫助科研人員深入理解材料性能的微觀機(jī)制，為新材料研發(fā)與現(xiàn)有材料優(yōu)化提供有力支撐。

澤攸電鏡ZEM20Ultro：材料科研微觀觀測(cè)工具

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